| 1차시 |
1.반도체 기초 이론_① 물질 기초 이론 |
34분39초 |
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| 2차시 |
1.반도체 기초 이론_②원자 모형과 공유 결합 |
42분2초 |
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| 3차시 |
1.반도체 기초 이론_③ Energy band 이론 |
30분31초 |
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| 4차시 |
1.반도체 기초 이론_④ 반도체의 정의, ⑤ Doping에 따른 반도체 특성 |
43분2초 |
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| 5차시 |
1.반도체 기초 이론_⑥ 캐리어의 이동(Diffusion, Drift, Recombination - Generation) |
29분43초 |
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| 6차시 |
2. 반도체 소자 기초_① Diode (1) PN |
38분57초 |
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| 7차시 |
2. 반도체 소자 기초_① Diode (2)PN Diode, APPENDIX |
39분35초 |
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| 8차시 |
2. 반도체 소자 기초_② BJT (1)기초 이론 |
28분49초 |
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| 9차시 |
2. 반도체 소자 기초_② BJT (2)장점과 단점 |
25분54초 |
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| 10차시 |
2. 반도체 소자 기초_② MOSFET (1) 정의, 소자, Ideal MOS Capacitor |
27분26초 |
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| 11차시 |
2. 반도체 소자 기초_② MOSFET (2) Ideal MOS Capacitor |
38분13초 |
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| 12차시 |
2. 반도체 소자 기초_② MOSFET (3) |
34분49초 |
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| 13차시 |
2. 반도체 소자 기초_② MOSFET (4) MOSFET VS BJT |
32분9초 |
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| 14차시 |
2. 반도체 소자 기초_③ 트랜지스터 응용, 실제 소자 제작 및 구성 |
33분20초 |
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| 15차시 |
2. 반도체 소자 기초_④ 트랜지스터 - 실제 소자 제작 및 구성 |
27분31초 |
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| 16차시 |
3. 반도체 소자의 다양한 응용_① DRAM |
37분56초 |
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| 17차시 |
3. 반도체 소자의 다양한 응용_② SRAM, Flash memory |
29분56초 |
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| 18차시 |
3. 반도체 소자의 다양한 응용_③Flash memory, 4가지 메모리 소자 비교 |
30분39초 |
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